Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 25V; 500mA; Idm: 1,3A; 0,3W

Cena netto:

zaloguj się

Ilość:	1+	25+	50+	100+	500+	1000+	1500+	3000+	6000+	9000+
Cena netto:	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się

Dostępność:

1811 szt.

Indeks:

FDG6303N

Karta towaru o ID:

853763

Producent:

ONSEMI

Opis

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 25V; 500mA; Idm: 1,3A; 0,3W

Typ tranzystora	N-MOSFET x2
Technologia	DMOS
Polaryzacja	unipolarny
Napięcie dren-źródło	25V
Prąd drenu	0,5A
Prąd drenu w impulsie	1,3A
Straty mocy	0,3W
Obudowa	SC70-6 , SC88 , SOT363
Rezystancja w stanie przewodzenia	770mΩ
Montaż	SMD
Ładunek bramki	2,3nC
Rodzaj opakowania	rolka , taśma
Rodzaj kanału	wzbogacany
Właściwości elementów półprzewodnikowych	logic level

Opinie

Dla tego produktu nie napisano jeszcze recenzji lub oczekuje na akceptację przez obsługę!

Wybierz produkt

Pozostałe nasze strony z innym asortymentem - zamówienia można łączyć

Pomimo dołożenia wszelkich starań nie gwarantujemy, że publikowane materiały są wolne od błędów lub rozbieżności. Uchybienia te nie mogą być jednak podstawą do jakichkolwiek roszczeń. Zdjęcia produktów, zamieszczone na stronach internetowych annapol.eu, mogą nieznacznie odbiegać od rzeczywistego wyglądu towarów znajdujących się aktualnie w sprzedaży. W razie wątpliwości prosimy o kontakt z firmą F.H.U. ANNAPOL

Używamy cookies i podobnych technologii głównie w celu świadczenia usług i statystyk. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień Twojej przeglądarki oznacza, że będą one umieszczane w Twoim urządzeniu końcowym.
Pamiętaj, że zawsze możesz zmienić te ustawienia. Więcej informacji znajdziesz w Polityce prywatności Rozumiem politykę plików cookie - zamknij

Kategorie

Karta towaru o ID: 853763

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 25V; 500mA; Idm: 1,3A; 0,3W

Opis

Opinie

Wybierz produkt