Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 60V; 0,17A; Idm: 0,9A

Cena netto:

zaloguj się

Ilość:	1+	5+	10+	100+	500+	1000+	3000+	6000+	9000+	24000+
Cena netto:	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się

Dostępność:

8802 szt.

Indeks:

2N7002NXBKR

Karta towaru o ID:

778285

Producent:

NEXPERIA

Opis

Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 60V; 0,17A; Idm: 0,9A

Typ tranzystora	N-MOSFET
Polaryzacja	unipolarny
Napięcie dren-źródło	60V
Prąd drenu	0,17A
Prąd drenu w impulsie	0,9A
Straty mocy	0,31W
Obudowa	SOT23 , TO236AB
Napięcie bramka-źródło	±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia	5,7Ω
Montaż	SMD
Ładunek bramki	1nC
Rodzaj opakowania	rolka , taśma
Rodzaj kanału	wzbogacany
Wersja	ESD
Technologia	Trench

Opinie

Dla tego produktu nie napisano jeszcze recenzji lub oczekuje na akceptację przez obsługę!

Wybierz produkt

Pozostałe nasze strony z innym asortymentem - zamówienia można łączyć

Pomimo dołożenia wszelkich starań nie gwarantujemy, że publikowane materiały są wolne od błędów lub rozbieżności. Uchybienia te nie mogą być jednak podstawą do jakichkolwiek roszczeń. Zdjęcia produktów, zamieszczone na stronach internetowych annapol.eu, mogą nieznacznie odbiegać od rzeczywistego wyglądu towarów znajdujących się aktualnie w sprzedaży. W razie wątpliwości prosimy o kontakt z firmą F.H.U. ANNAPOL

Używamy cookies i podobnych technologii głównie w celu świadczenia usług i statystyk. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień Twojej przeglądarki oznacza, że będą one umieszczane w Twoim urządzeniu końcowym.
Pamiętaj, że zawsze możesz zmienić te ustawienia. Więcej informacji znajdziesz w Polityce prywatności Rozumiem politykę plików cookie - zamknij

Kategorie

Karta towaru o ID: 778285

Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 60V; 0,17A; Idm: 0,9A

Opis

Opinie

Wybierz produkt