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Activ: 343090
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Produktinfo ID: 769684 |
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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 19,7A; Idm: 80A; 113,6W
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Beschreibung
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 19,7A; Idm: 80A; 113,6W | Transistortyp | N-MOSFET | | Polarisation | unipolar | | Drain-Quelle-Spannung | 1,2kV | | Drainstrom | 19,7A | | Leistungsverluste | 113,6W | | Gehäuse | TO247-3 | | Gate-Source Spannung | -8...19V | | Durchlass-Widerstand | 0,105Ω | | Montage | THT | | Gatterladung | 54nC | | Gatter-Quelle-Spannung | -8...19V | | Channel kind | anreicherungs | | Drainstrom im Impuls | 80A | | Technologie | C3M™ , SiC |
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