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Activ: 342609
Produktinfo ID: 730113

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 21A; Idm: 125A; 28W

  • Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 21A; Idm: 125A; 28W
  • Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 21A; Idm: 125A; 28W
Preis (net): Anmeldung
Anzahl: 1+
Preis (net):Anmeldung
Verfügbarkeit: 9 st
Index: NTH4L080N120SC1
Produktinfo ID: 730113
Hersteller: ONSEMI
 

Beschreibung

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 21A; Idm: 125A; 28W

TransistortypN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-Quelle-Spannung1,2kV
Drainstrom21A
Drainstrom im Impuls125A
Leistungsverluste28W
GehäuseTO247-4
Gate-Source Spannung-15...25V
Gatter-Quelle-Spannung-15...25V
Durchlass-Widerstand80mΩ
MontageTHT
Gatterladung56nC
VerpackungsartTube
Channel kindanreicherungs
Eigenschaften der HalbleiterelementeKelvin Terminal
TechnologieSiC

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