 |
Kategorie |
 |
Aktywnych: 336200
|
|
|
 |
Karta towaru o ID: 697976 |
 |
|
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -100V; -8,8A; 32,1W
|
|
| Cena netto: |
zaloguj się |
|
| Dostępność: |
491 szt. |
| Indeks: |
SUD09P10-195-GE3 |
| Karta towaru o ID: |
697976 |
| Producent: |
VISHAY |
|
|
|
|
|
|
| |
Opis
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -100V; -8,8A; 32,1W | Typ tranzystora | P-MOSFET | | Polaryzacja | unipolarny | | Napięcie dren-źródło | -100V | | Prąd drenu | -8,8A | | Prąd drenu w impulsie | -15A | | Straty mocy | 32,1W | | Obudowa | DPAK , TO252 | | Napięcie bramka-źródło | ±20V | | Napięcie bramka-źródło | ±20V | | Rezystancja w stanie przewodzenia | 0,195Ω | | Montaż | SMD | | Rodzaj opakowania | rolka , taśma | | Rodzaj kanału | wzbogacany | | Ładunek bramki | 34,8nC | | Technologia | TrenchFET® |
| Opinie
 |
Dla tego produktu nie napisano jeszcze recenzji lub oczekuje na akceptację przez obsługę! 
|
|
|
|
|