Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1,1kV; 24A; Idm: 100A; 500W

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Verfügbarkeit:

20 st

Index:

MMIX1F40N110P

Produktinfo ID:

675047

Hersteller:

IXYS

Beschreibung

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1,1kV; 24A; Idm: 100A; 500W

Transistortyp	N-MOSFET
Technologie	HiPerFET™ , Polar™
Polarisation	unipolar
Drain-Quelle-Spannung	1,1kV
Drainstrom	24A
Drainstrom im Impuls	100A
Leistungsverluste	500W
Gehäuse	SMPD
Gate-Source Spannung	±30V
Gatter-Quelle-Spannung	±30V
Durchlass-Widerstand	0,29Ω
Montage	SMD
Gatterladung	310nC
Channel kind	anreicherungs
Bereitschaftszeit	300ns

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Produktinfo ID: 675047

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1,1kV; 24A; Idm: 100A; 500W

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