Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264

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Verfügbarkeit:

11 st

Index:

IXBK55N300

Produktinfo ID:

598735

Hersteller:

IXYS

Beschreibung

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264

Transistortyp	IGBT
Spannung Kollektor - Emiter	3kV
Leistungsverluste	625W
Gehäuse	TO264
Montage	THT
Verpackungsart	Tube
Abschaltzeit	475ns
Kollektorstrom	55A
Spitzen-Kollektorstrom	600A
Gatter-Emitter-Spannung	±20V
Technologie	BiMOSFET™
Eigenschaften der Halbleiterelemente	Hochspannung
Gatterladung	335nC
Schaltzeit	637ns

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Produktinfo ID: 598735

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264

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