Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0,295A; 0,25W; ESD

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Verfügbarkeit:

940 st

Index:

NTJD5121NT1G

Produktinfo ID:

415505

Hersteller:

ONSEMI

Beschreibung

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0,295A; 0,25W; ESD

Transistortyp	N-MOSFET x2
Eigenschaften der Halbleiterelemente	ESD protected gate
Polarisation	unipolar
Montage	SMD
Gehäuse	SC70-6 , SC88 , SOT363
Version	ESD
Drain-Quelle-Spannung	60V
Drainstrom	0,295A
Gatterladung	0,9nC
Durchlass-Widerstand	2,5Ω
Leistungsverluste	0,25W
Gate-Source Spannung	±20V
Gatter-Quelle-Spannung	±20V
Channel kind	anreicherungs
Verpackungsart	Band , Rolle

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Produktinfo ID: 415505

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0,295A; 0,25W; ESD

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