Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268

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Verfügbarkeit:

251 st

Index:

IXFT24N90P

Produktinfo ID:

407586

Hersteller:

IXYS

Beschreibung

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268

Transistortyp	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-Quelle-Spannung	900V
Drainstrom	24A
Leistungsverluste	660W
Gehäuse	TO268
Gate-Source Spannung	±30V
Durchlass-Widerstand	0,42Ω
Gatter-Quelle-Spannung	±30V
Montage	SMD
Gatterladung	130nC
Verpackungsart	Tube
Channel kind	anreicherungs
Technologie	HiPerFET™ , Polar™
Bereitschaftszeit	300ns

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Produktinfo ID: 407586

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268

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