Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns

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Verfügbarkeit:

2 st

Index:

IXTP26P10T

Produktinfo ID:

402496

Hersteller:

IXYS

Beschreibung

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns

Transistortyp	P-MOSFET
Technologie	TrenchP™
Polarisation	unipolar
Drain-Quelle-Spannung	-100V
Drainstrom	-26A
Leistungsverluste	150W
Gehäuse	TO220AB
Gate-Source Spannung	±15V
Gatter-Quelle-Spannung	±15V
Durchlass-Widerstand	90mΩ
Montage	THT
Gatterladung	52nC
Verpackungsart	Tube
Channel kind	anreicherungs
Bereitschaftszeit	70ns

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Produktinfo ID: 402496

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns

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