Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO247-3

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Verfügbarkeit:

421 st

Index:

IXTH96P085T

Produktinfo ID:

401635

Hersteller:

IXYS

Beschreibung

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO247-3

Transistortyp	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-Quelle-Spannung	-85V
Drainstrom	-96A
Leistungsverluste	298W
Gehäuse	TO247-3
Gate-Source Spannung	±15V
Durchlass-Widerstand	13mΩ
Gatter-Quelle-Spannung	±15V
Montage	THT
Gatterladung	180nC
Verpackungsart	Tube
Channel kind	anreicherungs
Bereitschaftszeit	55ns
Technologie	TrenchP™

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Produktinfo ID: 401635

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO247-3

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