Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,19A; Idm: 0,8A; 0,14W; ESD

Cena netto:

zaloguj się

Ilość:	1+	10+	50+	100+	250+	500+	1000+	3000+	9000+	24000+
Cena netto:	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się

Dostępność:

200 szt.

Indeks:

2N7002K-T1-E3

Karta towaru o ID:

379716

Producent:

VISHAY

Opis

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,19A; Idm: 0,8A; 0,14W; ESD

Typ tranzystora	N-MOSFET
Napięcie dren-źródło	60V
Prąd drenu	0,19A
Moc	0.14W
Straty mocy	0,14W
Obudowa	SOT23
Napięcie bramka-źródło	±20V
Napięcie bramka-źródło	±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia	2Ω
Montaż	SMD
Ładunek bramki	0,6nC
Rodzaj kanału	wzbogacany
Polaryzacja	unipolarny
Rodzaj opakowania	rolka , taśma
Właściwości elementów półprzewodnikowych	ESD protected gate
Prąd drenu w impulsie	0,8A
Wersja	ESD

Opinie

Dla tego produktu nie napisano jeszcze recenzji lub oczekuje na akceptację przez obsługę!

Wybierz produkt

Pozostałe nasze strony z innym asortymentem - zamówienia można łączyć

Pomimo dołożenia wszelkich starań nie gwarantujemy, że publikowane materiały są wolne od błędów lub rozbieżności. Uchybienia te nie mogą być jednak podstawą do jakichkolwiek roszczeń. Zdjęcia produktów, zamieszczone na stronach internetowych annapol.eu, mogą nieznacznie odbiegać od rzeczywistego wyglądu towarów znajdujących się aktualnie w sprzedaży. W razie wątpliwości prosimy o kontakt z firmą F.H.U. ANNAPOL

Używamy cookies i podobnych technologii głównie w celu świadczenia usług i statystyk. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień Twojej przeglądarki oznacza, że będą one umieszczane w Twoim urządzeniu końcowym.
Pamiętaj, że zawsze możesz zmienić te ustawienia. Więcej informacji znajdziesz w Polityce prywatności Rozumiem politykę plików cookie - zamknij

Kategorie

Karta towaru o ID: 379716

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,19A; Idm: 0,8A; 0,14W; ESD

Opis

Opinie

Wybierz produkt