 |
Kategorie |
 |
Aktywnych: 343411
|
|
|
 |
Karta towaru o ID: 330975 |
 |
|
Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 60V; 0,28A; Idm: 1,2A
|
|
| Cena netto: |
zaloguj się |
|
| Dostępność: |
131454 szt. |
| Indeks: |
2N7002P.215 |
| Karta towaru o ID: |
330975 |
| Producent: |
NEXPERIA |
|
|
|
|
|
|
| |
Opis
Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 60V; 0,28A; Idm: 1,2A | Typ tranzystora | N-MOSFET | | Polaryzacja | unipolarny | | Napięcie dren-źródło | 60V | | Moc | 420mW | | Prąd drenu | 0,28A | | Prąd drenu w impulsie | 1,2A | | Straty mocy | 0,42W | | Napięcie bramka-źródło | ±20V | | Obudowa | SOT23 , TO236AB | | Napięcie bramka-źródło | ±20V | | Ilość w opakowaniu | 3000szt. | | Rezystancja w stanie przewodzenia | 2Ω | | Montaż | SMD | | Ładunek bramki | 0,8nC | | Rodzaj opakowania | rolka , taśma | | Rodzaj kanału | wzbogacany | | Technologia | Trench |
| Opinie
 |
Dla tego produktu nie napisano jeszcze recenzji lub oczekuje na akceptację przez obsługę! 
|
|
|
|
|