 |
Kategorie |
 |
Aktywnych: 343090
|
|
|
 |
Karta towaru o ID: 330971 |
 |
|
Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 60V; 0,245A; Idm: 1,2A
|
|
| Cena netto: |
zaloguj się |
|
| Dostępność: |
1 szt. |
| Indeks: |
2N7002BK.215 |
| Karta towaru o ID: |
330971 |
| Producent: |
NEXPERIA |
|
|
|
|
|
|
| |
Opis
Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 60V; 0,245A; Idm: 1,2A | Typ tranzystora | N-MOSFET | | Technologia | Trench | | Polaryzacja | unipolarny | | Moc | 1.2W | | Napięcie dren-źródło | 60V | | Prąd drenu | 0,245A | | Prąd drenu w impulsie | 1,2A | | Napięcie bramka-źródło | ±20V | | Straty mocy | 1,2W | | Obudowa | SOT23 , TO236AB | | Napięcie bramka-źródło | ±20V | | Ilość w opakowaniu | 3000szt. | | Rezystancja w stanie przewodzenia | 2Ω | | Montaż | SMD | | Ładunek bramki | 0,6nC | | Właściwości elementów półprzewodnikowych | ESD protected gate | | Rodzaj opakowania | rolka , taśma | | Rodzaj kanału | wzbogacany | | Wersja | ESD |
| Opinie
 |
Dla tego produktu nie napisano jeszcze recenzji lub oczekuje na akceptację przez obsługę!  |
|
|
|
|
