Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A

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Verfügbarkeit:

7 st

Index:

SK30DGDL066ET

Produktinfo ID:

2057204

Hersteller:

SEMIKRON DANFOSS

Beschreibung

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A

Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Halbleiterstruktur	Diode/Transistor
Topology	3-Phasendiodenbrücke , 3-phasige IGBT-Brücke, OE-Ausgang , boost chopper , NTC Thermistor
Sperrspannung max.	0,6kV
Kollektorstrom	30A
Leistung	4kW
Gehäuse	SEMITOP3
Anwendung	Motoren , Wechselrichter
Elektrische Montage	Press-in PCB
Gatter-Emitter-Spannung	±20V
Spitzen-Kollektorstrom	60A
Mechanische Montage	schraubbar

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Produktinfo ID: 2057204

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A

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