Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 50A

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Verfügbarkeit:

9 st

Index:

SKM50GD125D

Produktinfo ID:

156134

Hersteller:

SEMIKRON DANFOSS

Beschreibung

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 50A

Transistortyp	IGBT
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Spannung Kollektor - Emiter	1.2kV
Modultyp	IGBT
Halbleiterstruktur	Transistor/Transistor
Topology	3-phasen Brücke IGBT
Sperrspannung max.	1,2kV
Kollektorstrom	50A
Strom im Maximalimpuls	100A
Gehäuse	SEMITRANS6
Version	D67
Montage	schraubbar
Anwendung	für UPS , Photovoltaik , Wechselrichter
Betriebstemperatur	-40...125°C
Elektrische Montage	Steckverbinder FASTON
Gatter-Emitter-Spannung	±20V
Spitzen-Kollektorstrom	100A
Mechanische Montage	schraubbar

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Produktinfo ID: 156134

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 50A

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