Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV

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Verfügbarkeit:

33 st

Index:

SKM300GAL12E4

Produktinfo ID:

1507987

Hersteller:

SEMIKRON DANFOSS

Beschreibung

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV

Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Halbleiterstruktur	Diode/Transistor
Topology	boost chopper
Sperrspannung max.	1,2kV
Kollektorstrom	324A
Gehäuse	SEMITRANS3
Anwendung	für UPS , Photovoltaik , Wechselrichter
Elektrische Montage	schraubbar , Steckverbinder FASTON
Gatter-Emitter-Spannung	±20V
Spitzen-Kollektorstrom	900A
Mechanische Montage	schraubbar

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Produktinfo ID: 1507987

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV

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