Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -0,45A; 0,19W

Cena netto:

zaloguj się

Ilość:	1+	5+	10+	100+	500+	1000+	3000+	6000+	9000+
Cena netto:	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się	zaloguj się

Dostępność:

95 szt.

Indeks:

SI1013CX-T1-GE3

Karta towaru o ID:

1120050

Producent:

VISHAY

Opis

Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -0,45A; 0,19W

Typ tranzystora	P-MOSFET
Polaryzacja	unipolarny
Napięcie dren-źródło	-20V
Prąd drenu	-0,45A
Prąd drenu w impulsie	-1,5A
Straty mocy	0,19W
Obudowa	SC89 , SOT563
Napięcie bramka-źródło	±8V
Rezystancja w stanie przewodzenia	1,5Ω
Montaż	SMD
Rodzaj opakowania	rolka , taśma
Rodzaj kanału	wzbogacany
Ładunek bramki	2,5nC
Technologia	TrenchFET®

Opinie

Dla tego produktu nie napisano jeszcze recenzji lub oczekuje na akceptację przez obsługę!

Wybierz produkt

Pozostałe nasze strony z innym asortymentem - zamówienia można łączyć

Pomimo dołożenia wszelkich starań nie gwarantujemy, że publikowane materiały są wolne od błędów lub rozbieżności. Uchybienia te nie mogą być jednak podstawą do jakichkolwiek roszczeń. Zdjęcia produktów, zamieszczone na stronach internetowych annapol.eu, mogą nieznacznie odbiegać od rzeczywistego wyglądu towarów znajdujących się aktualnie w sprzedaży. W razie wątpliwości prosimy o kontakt z firmą F.H.U. ANNAPOL

Używamy cookies i podobnych technologii głównie w celu świadczenia usług i statystyk. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień Twojej przeglądarki oznacza, że będą one umieszczane w Twoim urządzeniu końcowym.
Pamiętaj, że zawsze możesz zmienić te ustawienia. Więcej informacji znajdziesz w Polityce prywatności Rozumiem politykę plików cookie - zamknij

Kategorie

Karta towaru o ID: 1120050

Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -0,45A; 0,19W

Opis

Opinie

Wybierz produkt