Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4

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Verfügbarkeit:

26 st

Index:

BGH50N65ZF1

Produktinfo ID:

937572

Hersteller:

BASiC SEMICONDUCTOR

Beschreibung

Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4

Transistortyp	IGBT
Spannung Kollektor - Emiter	650V
Kollektorstrom	50A
Leistungsverluste	357W
Gehäuse	TO247-4
Gatter-Emitter-Spannung	±20V
Spitzen-Kollektorstrom	200A
Montage	THT
Gatterladung	308nC
Verpackungsart	Tube
Eigenschaften der Halbleiterelemente	integrated anti-parallel diode
Technologie	Field Stop , SiC SBD , Trench
Schaltzeit	54ns
Abschaltzeit	476ns

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Produktinfo ID: 937572

Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4

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