Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0,9/-0,7A; 0,87W

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Verfügbarkeit:

2049 st

Index:

ZXMHC10A07N8TC

Produktinfo ID:

400482

Hersteller:

DIODES INCORPORATED

Beschreibung

Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0,9/-0,7A; 0,87W

Transistortyp	N/P-MOSFET x2
Transistor kind	komplementär
Polarisation	unipolar
Drain-Quelle-Spannung	100/-100V
Drainstrom	0,9/-0,7A
Leistungsverluste	0,87W
Gehäuse	SO8
Gatter-Quelle-Spannung	±20V
Gate-Source Spannung	±20V
Durchlass-Widerstand	0,9/1,45Ω
Montage	SMD
Verpackungsart	Band , Rolle
Channel kind	anreicherungs
Halbleiterstruktur	gemeinsame Quelle
Eigenschaften der Halbleiterelemente	MOSFET H-Bridge

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Produktinfo ID: 400482

Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0,9/-0,7A; 0,87W

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