Transistor: IGBT; 650V; 5A; 10W; TO220F; EAus: 0,12mJ; EEin: 0,09mJ

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Verfügbarkeit:

4 st

Index:

AOTF5B65M1

Produktinfo ID:

367344

Hersteller:

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Beschreibung

Transistor: IGBT; 650V; 5A; 10W; TO220F; EAus: 0,12mJ; EEin: 0,09mJ

Transistortyp	IGBT
Spannung Kollektor - Emiter	650V
Leistung	10W
Kollektorstrom	5A
Leistungsverluste	10W
Gehäuse	TO220F
Gatter-Emitter-Spannung	±30V
Spitzen-Kollektorstrom	15A
Montage	THT
Gatterladung	14nC
Verpackungsart	Tube
Schaltzeit	21ns
Abschaltzeit	157ns
Turn-off switching energy	0,12mJ
Turn-on switching energy	0,09mJ
Sättigungsspannung Koll. - Em.	1,87V

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Produktinfo ID: 367344

Transistor: IGBT; 650V; 5A; 10W; TO220F; EAus: 0,12mJ; EEin: 0,09mJ

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