Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP; ESD
| Transistortyp | N-MOSFET |
| Technologie | SuperMesh™ |
| Polarisation | unipolar |
| Leistung | 40W |
| Drain-Quelle-Spannung | 800V |
| Drainstrom | 3A |
| Leistungsverluste | 40W |
| Gehäuse | TO220FP |
| Ausgang | N-MOSFET |
| Gatter-Quelle-Spannung | ±30V |
| Gate-Source Spannung | ±30V |
| Ausgangsstrom | 9A |
| Durchlass-Widerstand | 0,9Ω |
| Montage | THT |
| Verpackungsart | Tube |
| Channel kind | anreicherungs |
| Eigenschaften der Halbleiterelemente | ESD protected gate |
| Version | ESD |